CHAMBRES DE RECOURS
Décisions des Chambres de recours techniques
Décision de la Chambre de recours technique 3.4.1 en date du 22 juillet 1994 - T 802/92 - 3.4.1
(Traduction)
Composition de la Chambre :
Président : | G. D. Paterson |
Membres : | R.K. Shukla |
| U.G.O. Himmler |
Demandeur : Colorado School of Mines Foundation, Inc.
Référence : Cellule photovoltaïque/COLORADO
Article : 84, 123(2) CBE
Mot-clé : "Omission d'une caractéristique dans une nouvelle catégorie de revendication (oui)" - "Caractéristiques techniques atteignant l'un des buts de l'invention non nécessaires à la définition de l'objet revendiqué"
Sommaire :
Il n'est pas contraire à l'article 123(2) CBE de supprimer, dans une revendication, une caractéristique qui "n'apporte pas de contribution technique à l'objet de l'invention revendiquée", au sens de la décision G 1/93, et dont la suppression étend simplement la protection conférée par la revendication.
Exposé des faits et conclusions
I. La demande de brevet européen n° 87 309 322.3 a été rejetée par décision de la division d'examen au motif que la revendication indépendante 17 comprenait des éléments s'étendant au-delà du contenu de la demande telle qu'elle avait été déposée (art. 123(2) CBE). La division d'examen a également signalé dans sa décision que la revendication indépendante 1 ne comportait pas toutes les caractéristiques essentielles de l'invention (art. 84 et règle 29(1) et (3) CBE).
II. Les revendications indépendantes 1 et 17, déposées le 21 octobre 1991, qui sont à l'origine de la décision ci-dessus, se lisent comme suit :
Revendication 1
"Cellule photovoltaïque (10) à doubles jonctions hétérogènes p-i-n comprenant au moins trois couches différentes de composés semi-conducteurs (12, 14, 16) constituées ensemble d'au moins quatre éléments différents, comprenant une couche semi- conductrice de type p (12), une couche semi-conductrice intrinsèque à haute résistivité (14), présentant une bande interdite plus étroite que la couche de type p, servant à absorber le rayonnement lumineux, une couche semi-conductrice de type n (16) ayant une bande interdite plus large que la couche intrinsèque, ladite couche intrinsèque étant en contact électriquement conducteur sur un côté avec la couche de type p (12), et sur le côté opposé avec la couche de type n (16), et les premier et second contacts ohmiques (20, 22) étant en contact électriquement conducteur respectivement avec la couche de type p (12) et la couche de type n (16)."
Revendication 17
"Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque (10) à doubles jonctions hétérogènes p-i-n comprenant au moins trois couches (12, 14, 16) de différents matériaux de composés semi-conducteurs, constituées ensemble d'au moins quatre éléments différents, comportant les étapes consistant à : (A) déposer une première couche semi-conductrice de type n (16) sur un substrat (28) ; (B) déposer sur la couche de type n (16) une seconde couche (14) semi-conductrice intrinsèque à haute résistivité ayant une bande interdite plus étroite que la couche de type n, servant à absorber le rayonnement lumineux ; et (C) déposer sur la couche intrinsèque (14) une troisième couche semi-conductrice de type p (12) ayant une bande interdite comparativement plus large que la couche intrinsèque (14) en contact électriquement conducteur d'un côté avec la couche de type p (12) et sur le côté opposé avec la couche de type n (16)."
III. Les motifs exposés dans la décision susmentionnée se résument comme suit :
Revendication 17 - Article 123(2) CBE
La demande telle qu'initialement déposée ne contient aucune revendication de procédé. Seule la description divulgue des procédés de réalisation d'une cellule photovoltaïque comprenant une combinaison particulière de composés, en l'occurrence une cellule comprenant du CdS/CdTe/ZnTe. La revendication 17 et la modification correspondante apportée à la description introduisent un procédé de fabrication d'une cellule qui n'a pas été divulgué dans la demande telle que déposée. En particulier, la revendication 17 ne précise pas quels sont les éléments entrant dans la composition de la cellule photovoltaïque ; elle est donc plus générale que les procédés décrits dans la demande telle que déposée. Etant donné que l'on ne trouve pas dans la demande telle que déposée d'éléments décrivant un procédé de fabrication générique selon la revendication 17, l'objet de cette revendication s'étend donc au-delà du contenu de ladite demande.
Revendication 1 - Article 84 et règle 29(1) CBE
Il est dit à la page 5, lignes 7 à 18 de la demande telle que déposée que les couches semi-conductrices sont ainsi constituées qu'un anion est commun aux couches intrinsèques et aux couches de type p et qu'un cation est commun aux couches intrinsèques et aux couches de type n. Cette caractéristique est essentielle pour atteindre l'objectif de l'invention exposé à la page 4, lignes 9 à 13 du document initial, à savoir proposer une cellule utilisant des matériaux à chaque jonction qui réduisent au maximum la présence de solutions de continuité ou de pointes d'énergie dans la bande d'énergie, laquelle sert à transporter les porteurs de charge en dehors de la couche d'absorption. Comme la revendication 1 ne contient pas cette caractéristique essentielle à l'invention, elle ne satisfait pas aux exigences visées à l'article 84 considérées conjointement avec celles de la règle 29(1) et (3).
IV. Le demandeur a formé un recours contre cette décision ; il a conclu à l'annulation de la décision et à la délivrance d'un brevet sur la base des revendications 1 à 41 déposées le 21 octobre 1991 qui sont à l'origine de la décision contestée. Le demandeur a déposé, à titre subsidiaire, trois jeux de revendications modifiées.
Le requérant a pour l'essentiel fait valoir les arguments suivants à l'appui de ses requêtes :
Revendication 17 - Article 123(2) CBE
Bien que les exemples de fabrication du dispositif cités dans la description mentionnent une combinaison de composés semi-conducteurs CdS/CdTe/ZnTe, la revendication de dispositif indépendante, initialement déposée ne se limitait pas à ces composés. Aussi serait-il logique d'autoriser une revendication de procédé de portée aussi étendue que celle de la revendication de dispositif indépendante. De plus, il est indiqué dans la demande initiale (page 9, ligne 11) que les couches semi-conductrices sont de préférence constituées des composés II-VI. Il est donc évident que la méthode de fabrication ne doit pas être limitée aux composés spécifiques mentionnés ci-dessus.
Revendication 1 - Article 84 CBE
L'indication selon laquelle "La présente invention a également pour objet de proposer une cellule utilisant des matériaux à chaque jonction qui réduisent au maximum la présence de solutions de continuité ou de pointes d'énergie ... " (page 4, ligne 9 de la description initiale) n'implique pas une restriction visant uniquement à réduire au maximum la présence de solutions de continuité ou de pointes d'énergie. Au contraire, elle doit être interprétée comme se rapportant seulement à un mode de réalisation particulier de l'invention. En outre, la revendication de dispositif indépendante, telle qu'initialement déposée, ne comprend pas la caractéristique concernant les anions et les cations communs ; or, il est indiqué dans la description initiale que la portée de l'invention ne doit être limitée que par les revendications. La revendication de portée étendue ne comportant pas la caractéristique relative aux anions et cations communs se fonde donc sur la demande initiale ; or, comme le caractère inventif de la revendication 1 n'a pas été contesté, le demandeur devrait être autorisé à revendiquer la protection correspondant au contenu de la demande initiale.
V. Le requérant a demandé qu'un brevet soit délivré sur la base des revendications 1 à 41 déposées le 21 octobre 1991 et que les autres modifications suivantes soient apportées à la demande :
i) revendication 1 : remplacer "trois couches différentes de composés semi-conducteurs (12, 14, 16)" par "trois couches (12, 14, 16) de matériaux différents de composés semi-conducteurs", et
ii) page 4, ligne 16 : insérer "préféré" avant "mode de réalisation".
Motifs de la décision
Du fait des modifications déposées au cours de la procédure d'examen, la demande modifiée comporte une nouvelle catégorie de revendications (17 à 41) portant sur un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque. Dans la revendication indépendante 17, les étapes du procédé en soi (étapes A à C) consistent simplement à réaliser trois couches semi-conductrices présentant toutes le même type de conductivité, de bandes interdites et d'agencement que la cellule photovoltaïque selon la revendication 1 telle que déposée. Cependant, alors que la cellule photovoltaïque selon la revendication 1 et tous les modes de réalisation décrits dans la demande telle que déposée comprennent un premier et un second contact ohmique, la réalisation de ces contacts ohmiques n'est pas mentionnée dans la revendication 17. En d'autres termes, la revendication 17 définit un procédé de fabrication de cellule photovoltaïque selon la revendication 1, sans exiger la présence de contacts ohmiques. La question est donc de savoir si ce procédé de fabrication d'une cellule sans contacts ohmiques était contenu dans la demande telle que déposée. C'est apparemment l'une des raisons pour lesquelles la division d'examen a estimé que les dispositions de l'article 123(2) CBE n'étaient pas respectées.
2. Dans sa décision G 1/93 (JO OEB 1994, 541), la Grande Chambre de recours a récemment interprété les exigences définies à l'article 123(2) CBE dans le contexte particulier d'une question qui lui avait été soumise au sujet de ce qu'il a été convenu d'appeler un "conflit" entre les dispositions des paragraphes (2) et (3) de l'article 123 CBE lorsqu'un "brevet européen tel que délivré contient un élément qui étend l'objet du brevet au-delà du contenu de la demande telle qu'elle a été déposée, tout en limitant l'étendue de la protection conférée par les revendications".
Bien que la question soumise à la Grande Chambre ait concerné une affaire dans laquelle une caractéristique avait été ajoutée à une revendication avant la délivrance de manière à limiter l'étendue de la protection conférée par celle-ci, la Chambre estime en l'espèce que les principes qui sous-tendent l'interprétation de l'article 123(2) CBE par la Grande Chambre (cf. le point 16 de la décision et l'alinéa II du sommaire) ne se limitent pas aux situations dans lesquelles une caractéristique a été ajoutée à une revendication ; ils s'appliquent également à celles où (comme dans la présente affaire) une caractéristique est supprimée d'une revendication de manière à en étendre la protection.
C'est pourquoi la Chambre considère qu'il n'est pas contraire aux dispositions de l'article 123(2) CBE de supprimer, dans une revendication, une caractéristique qui n'apporte pas de contribution technique à l'objet de l'invention revendiquée, et dont la suppression étend simplement la protection conférée par la revendication.
3. Dans la mesure où le procédé selon la revendication 17 mentionne la formation de trois couches semi-conductrices constituées de matériaux non spécifiés, la Chambre estime que la réalisation de ces couches était manifestement implicite dans la demande telle que déposée, eu égard à la description des modes de réalisation fondamentaux d'une cellule photovoltaïque selon l'invention (cf. de la page 6, ligne 26 à la page 7, ligne 6 ; de la page 13, ligne 9 à la page 15, ligne 15 et les figures 2 à 4), et à la description (cf. de la page 16, ligne 26 à la page 17, ligne 8).
Comme mentionné précédemment au point 1 ci-avant, tous les modes de réalisation de l'invention décrits et revendiqués dans la demande telle que déposée comportent des contacts ohmiques avec les couches de type p et de type n. Il ressort cependant de la description (cf. page 3, ligne 19 à 26, et de la page 4, ligne 21 à la page 5, ligne 4) que selon la demande telle que déposée, l'un des premiers objectifs de l'invention est de proposer une cellule photovoltaïque à jonctions p-i-n hétérogènes permettant à la fois de choisir des matériaux présentant des propriétés adéquates et d'envoyer, par le champ électrique, les porteurs de charge vers leurs zones respectives ; à la différence des dispositifs à jonction hétérogène de l'état de la technique utilisant deux matériaux semi-conducteurs, cet objectif est atteint avec la présente invention grâce à l'utilisation de trois couches semi-conductrices différentes constituées au moins de quatre éléments différents, les couches semi-conductrices comprenant une couche semi-conductrice de type p présentant une bande interdite relativement large, une couche semi-conductrice intrinsèque à haute résistivité, servant à absorber la lumière, et une couche semi-conductrice de type n présentant une bande interdite relativement large. Ainsi, de l'avis de la Chambre, il ressort de la description que la présence de ces contacts ohmiques "n'apporte pas de contribution technique à l'objet de l'invention revendiquée" au sens de la décision G 1/93, la présence ou l'absence de ces contacts ohmiques étant sans effet sur la réalisation de l'invention décrite puisqu'ils n'en constituent pas un élément essentiel.
4. Pour toutes ces raisons, la Chambre estime que les modifications apportées à la demande par le biais de la revendication 17 n'ont pas pour effet d'étendre son objet au-delà du contenu de la demande telle que déposée ; elles ne contreviennent donc pas aux dispositions de l'article 123(2) CBE.
Caractéristiques nécessaires à la définition de l'objet revendiqué (article 84 CBE)
5. Il est indiqué sans équivoque dans la description initiale que l'un des objets de l'invention est de proposer une cellule utilisant des matériaux à chaque jonction qui réduisent au maximum la présence de solutions de continuité ou de pointes d'énergie dans la bande d'énergie destinée à transporter des porteurs de charge en dehors de la couche d'absorption (page 4, lignes 9 à 13). Les conditions à remplir pour atteindre ce but sont énoncées à la page 5, lignes 7 à 18 (c'est-à-dire utilisation de matériaux semi-conducteurs pour les couches intrinsèques et de type p ayant un anion commun et utilisation de matériaux semi-conducteurs pour les couches intrinsèques et de type n ayant un cation commun). Ainsi, la description indique clairement que le fait de réduire au maximum la présence de solutions de continuité ou de pointes d'énergie n'est pas un objet de l'invention dans son acception la plus étendue selon la revendication 1 ; de l'avis de la Chambre, c'est donc à tort que la division d'examen a soulevé une objection en vertu de l'article 84 CBE.
En tout état de cause, la modification mentionnée au point V(ii) ci-dessus montre clairement que les solutions de continuité ou les pointes d'énergie dans la bande d'énergie sont réduites au maximum dans un mode de réalisation préféré d'une cellule photovoltaïque selon l'invention.
6. Les modifications apportées à la revendication 1 mentionnées au point V(i) au cours de la procédure de recours clarifient la formulation "trois couches différentes de composés semi-conducteurs" et se fondent sur les exemples I à V de la description telle que déposée. Ces modifications satisfont donc aux exigences de l'article 123(2) CBE.
7. Comme il peut être fait droit à la requête principale, il n'y a pas lieu d'examiner les requêtes subsidiaires.
Dispositif
Par ces motifs, il est statué comme suit :
1. La décision attaquée est annulée.
2. L'affaire est renvoyée devant la première instance à charge pour elle de délivrer un brevet sur la base
des revendications 1 à 41 déposées le 21 octobre 1991 ;
des pages 1 à 6, 16, 18, 20, 21 et 24 déposées le 2 mai 1991 ; des pages 7 à 15, 17, 19, 22 et 23 telles qu'initialement déposées, et
des dessins 1/3-3/3 tels qu'initialement déposés,
avec les modifications apportées à la revendication 1 et à la page 4 (cf. points V(i) et (ii) ci-dessus).